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感應(yīng)加熱設(shè)備
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感應(yīng)加熱電源的發(fā)展史介紹
來源:m.projetonosotros.com發(fā)布時間:2021年06月29日
    感應(yīng)加熱電源的發(fā)展是非常的快,這也是因為傳統(tǒng)的加熱方式的缺陷,而感應(yīng)加熱的優(yōu)勢更好能夠彌補(bǔ)傳統(tǒng)的缺陷,所以下面給大家詳細(xì)講解一下它的發(fā)展史。
    70至80年代初,人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行結(jié)合,相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件(GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等),為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅實的基礎(chǔ)。而在歐美,由于SIT存在高通態(tài)損耗(SIT工作于非飽和區(qū))等缺陷,其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化,MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達(dá)600kW、400kHz,德國在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達(dá)480kW、50~200kHz,比利時InductoEiphiac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達(dá)1000kW、15~600kHz。浙江大

學(xué)在90年代研制出20kW、300kHzMOSFET高頻電源,已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機(jī)渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。

感應(yīng)加熱電源

    感應(yīng)加熱電源主要使用中頻段的晶閘管,超音頻頻段的IGBT。在高頻段,由于SIT存在傳導(dǎo)損耗大的缺陷,目前國際上主要開發(fā)MOSFET電源。雖然感應(yīng)加熱電源采用諧振逆變器,有利于功率器件軟開關(guān)的實現(xiàn),但感應(yīng)加熱電源通常功率較大,對功率器件、無源器件、電纜、布線、接地和屏蔽。因此,實現(xiàn)高頻感應(yīng)加熱電源仍有許多基礎(chǔ)應(yīng)用技術(shù)需要進(jìn)一步探索。特別是新型高頻大功率器件(如MCT、IGBT和SIT功率器件)的出現(xiàn),將進(jìn)一步推動感應(yīng)加熱電源的發(fā)展。